کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749284 | 894817 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Drain-to-gate field engineering for improved frequency response of GaN-based HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on a novel approach for designing high-frequency AlGaN/GaN HEMTs based on gate-drain field engineering. This approach uses a drain-connected field controlling electrode (FCE). The devices with gate-to-FCE separation of 0.5–0.7 μm exhibit much smaller frequency behavior degradation with drain bias at least up to 30 V and yield RF gain and output power improvement up to ∼2 times compared to conventional devices. These results show that the FCE is a powerful technique of improving the high-frequency, high power performance of GaN HEMTs at high drain biases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1217–1220
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1217–1220
نویسندگان
N. Pala, X. Hu, J. Deng, J. Yang, R. Gaska, Z. Yang, A. Koudymov, M.S. Shur, G. Simin,