کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943899 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of SiO2-based double passivation scheme by e-beam evaporation and PECVD for surface passivation and gate oxide in AlGaN/GaN HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Double-insulator scheme by different deposition methods are first studied.
- E-beam-based SiO2 shows the best result due to the reduction of gate leakage current.
- E-beam-based SiO2 and double scheme form a competitive insulator for HEMT.
- Authors plan to try other tool, such as LPCVD, TCVD and ADM to obtain optimal result.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 24-27
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 24-27
نویسندگان
Cong Wang, Sung-Jin Cho, Nam-Young Kim,