کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5404169 | 1505932 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated the evolution of exciton state filling in InAs/GaAs quantum dot (QD) structures as a function of the excitation power density by using micro-photoluminescence spectroscopy at different temperatures. In addition to the emission bands of exciton recombination corresponding to the atom-like S, P and D, etc. shells of QDs, it was observed that some extra states Pâ² between the S and P shells, and Dâ² between the P and D shells appear in the spectra with increasing number of excitons occupying the QDs at a certain temperature. The emergence of these inter-shell excitonic levels is power density and temperature dependent, which is an experimental demonstration of strong exciton-exciton exchange interaction, state hybridization, and coupling of a multi-exciton system in QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volumes 119â120, JulyâOctober 2006, Pages 183-187
Journal: Journal of Luminescence - Volumes 119â120, JulyâOctober 2006, Pages 183-187
نویسندگان
F.Z. Wang, Z.H. Chen, J. Sun, L.H. Bai, S.H. Huang, H. Xiong, P. Jin, Z.G. Wang, S.C. Shen,