کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540417 | 871311 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of interference lithography for 22 nm node and below
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An extreme ultraviolet (EUV) interference lithographic exposure tool was installed at the long undulator beamline in NewSUBARU to evaluate EUV resists for 25 nm node and below. The two-window transmission grating of 40 and 50 nm half pitch (hp) were fabricated with techniques of spattering, electron beam lithography, dry etching and wet etching. hp patterns (20 and 25 nm) of chemically amplified resist (CAR) and non-CAR were successfully replicated using the EUV interference lithographic exposure tool.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 8, August 2011, Pages 1944–1947
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 8, August 2011, Pages 1944–1947
نویسندگان
Yasuyuki Fukushima, Yuya Yamaguchi, Takafumi Iguchi, Takuro Urayama, Tetsuo Harada, Takeo Watanabe, Hiroo Kinoshita,