کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5404192 | 1505932 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of carrier transfer and exciton localization in ZnO/MgZnO heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Temperature dependence of carrier transfer and exciton localization in ZnO/MgZnO heterostructure Temperature dependence of carrier transfer and exciton localization in ZnO/MgZnO heterostructure](/preview/png/5404192.png)
چکیده انگلیسی
MgZnO/ZnO heterostructure was fabricated on sapphire substrate by plasma assistant molecular beam epitaxy. The micro-photoluminescence spectra of sample are reported, which shows that different emission peaks would appear when the laser beam focuses different deepness in the film. A carrier tunneling process from the MgZnO capping layer to ZnO layer was observed by the measured temperature dependence of photoluminescence spectra. This induces the emission intensity of the ZnO grew monotonically from 81 to 103Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volumes 119â120, JulyâOctober 2006, Pages 304-308
Journal: Journal of Luminescence - Volumes 119â120, JulyâOctober 2006, Pages 304-308
نویسندگان
Dongxu Zhao, Binghui Li, Chunxia Wu, Youming Lu, Dezhen Shen, Jiying Zhang, Xiwu Fan,