کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5404360 | 1392778 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiative transitions of layered semiconductor GaS doped with P
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photoluminescence (PL) measurement has been made on P-doped p-GaS. The 2.35 and 2.12Â eV emission bands are observed in the PL spectrum of P-doped sample at 77Â K. The temperature dependence of full-width at half-maximum and the shape of the PL spectrum of the 2.12Â eV emission band are characterized by the recombination mechanism of the configurational coordinate model. It is found that the 2.12Â eV emission band is related to the complex center of vacancy and acceptor due to P atoms. It is found from the presence of the complex center that the P-doped samples include a high concentration of defects or defect complexes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 118, Issue 1, May 2006, Pages 106-110
Journal: Journal of Luminescence - Volume 118, Issue 1, May 2006, Pages 106-110
نویسندگان
S. Shigetomi, T. Ikari,