کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540815 | 871344 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of low temperature RTP needs for IC metallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We discuss the desirable properties of an RTP tool and process for low temperature (<700 °C) applications. We contrast two different approaches for heating the substrates – a “cold-wall” system in which the energy is delivered as photons, and a “hot-wall” system where heat convection and conduction are the dominant heat transfer mechanism. We present arguments for why “hot-wall” systems have distinct advantages for most processes in the low temperature regime and demonstrate our conclusions on examples of Ni and Co silicidation process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 11, November 2007, Pages 2729–2732
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 11, November 2007, Pages 2729–2732
نویسندگان
Igor J. Malik, Michel Ouaknine, Takashi Fukada, Woo Sik Yoo,