کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541560 | 1450395 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High flowability monomer resists for thermal nanoimprint lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we have been using polymer and thermally curable monomer resists in a full 8 in. wafer thermal nanoimprint lithography process. Using exactly the same imprinting conditions, we observed that a monomer solution provides a much larger resist redistribution than a polymer resist. Imprinting Fresnel zone plates, composed of micro- and nano-meter features, was possible only with the monomer resist. In order to reduce the shrinkage ratio of the monomer resists, acrylate-silsesquioxane materials were synthesised. With a simple diffusion-like model, we could extract a mean free path of 1.1 mm for the monomer resist, while a polymer flows only on distances below 10 μm in the same conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 4â6, AprilâJune 2009, Pages 779-782
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 4â6, AprilâJune 2009, Pages 779-782
نویسندگان
K. Perez Toralla, J. De Girolamo, D. Truffier-Boutry, C. Gourgon, M. Zelsmann,