کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541677 | 871483 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metallic bonding methodology for heterogeneous integration of optoelectronic dies to CMOS circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Metallic bonding methodology for heterogeneous integration of optoelectronic dies to CMOS circuits Metallic bonding methodology for heterogeneous integration of optoelectronic dies to CMOS circuits](/preview/png/541677.png)
چکیده انگلیسی
A metallic bonding methodology appropriate for wafer-level optoelectronic die to complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit integration is introduced. A thin multilayer structure of the Au–20Sn eutectic alloy along with a starting layer of a rare-earth element (Gd) is utilized. Its main advantage is the accomplishment in a single step of both mechanical bonding and electrical interconnection of the heterogeneous devices. Bonding quality assessment and electrical parameters measurements are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 4, April 2008, Pages 727–732
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 4, April 2008, Pages 727–732
نویسندگان
P. Robogiannakis, E.D. Kyriakis-Bitzaros, K. Minoglou, S. Katsafouros, A. Kostopoulos, G. Konstantinidis, G. Halkias,