کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5417490 | 1506923 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Geometries and electronic structures of phosphorous-doped silicon fullerenes: A DFT study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using density functional theory (DFT) calculations, we investigate the specie obtained from the stepwise on-cage P-doping of the silicon fullerene Si20H20. It is found that P-doping decreases the HOMO-LUMO energy gap of the fullerene and could be used to tailor its optical properties. Pairing of P atoms within the fullerene's cage is not favored owing to the repulsion between the phosphorous lone-pairs and the preference for Si-P bond formation. Replacing all the SiH moieties with P affords the dodecahedral P20 fullerene. The fully oxidized P20O20 species is characterized by exceptionally high ionization potential (10.73Â eV) and large electron affinity (6.71Â eV).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Molecular Structure: THEOCHEM - Volume 900, Issues 1â3, 30 April 2009, Pages 71-76
Journal: Journal of Molecular Structure: THEOCHEM - Volume 900, Issues 1â3, 30 April 2009, Pages 71-76
نویسندگان
Fabio Pichierri, Vijay Kumar,