کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541878 | 1450399 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Redistribution of arsenic during the reaction of nickel thin films with silicon at relatively high temperature: Role of agglomeration
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The redistribution of As during the solid state reaction of nickel thin films with a n-doped (1 0 0) Si substrate has been analysed by secondary ion mass spectrometry (SIMS), X-ray reflectivity (XRR) and sheet resistance measurements. Heat treatment between 400 °C and 650 °C leads to the formation of the monosilicide (NiSi) and to very different SIMS depth profiles of As. The role of the agglomeration of NiSi on the SIMS measurements of As redistribution and particularly on As concentration at NiSi/Si interface is shown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issues 11–12, November–December 2006, Pages 2264–2267
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issues 11–12, November–December 2006, Pages 2264–2267
نویسندگان
K. Hoummada, D. Mangelinck, C. Perrin, P. Gas, V. Carron, P. Holliger, E. Ziegler,