کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543091 | 871628 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and electrical performance of high-density arrays of nanometric silicon tips
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fabrication and electrical performance of high-density arrays of nanometric silicon tips Fabrication and electrical performance of high-density arrays of nanometric silicon tips](/preview/png/543091.png)
چکیده انگلیسی
We propose and demonstrate a simple and low cost process for the fabrication of large area arrays of nanometric silicon tips, for use as Field Emission Devices (FEDs). The process combines Interference Lithography (IL) with isotropic Reactive Ion Etching (RIE). Si tips with typical curvature radius of 20 nm and height of 900 nm were recorded with a periodicity of 1 μm (density of 106 tips/mm2) covering a Silicon wafer of 2 in. The measurement of the electrical performance of the arrays demonstrates the feasibility of the association of these two techniques for recording Field Emission Tips.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 12, December 2010, Pages 2544–2548
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 12, December 2010, Pages 2544–2548
نویسندگان
Edson J. Carvalho, Marco A.R. Alves, Edmundo S. Braga, Lucila Cescato,