کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543144 | 871633 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of TaNx deposition by Reactive PVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The subject of this paper is the extension of the simulation tool T2 for the application to Reactive Physical Vapor Deposition. The implemented models are briefly described and applied to the deposition of TaNx barriers. The influence of the nitrogen flow and the substrate bias on the deposition rate, the thickness uniformity, and the film composition is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 10, October 2010, Pages 1907–1913
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 10, October 2010, Pages 1907–1913
نویسندگان
H. Wolf, R. Streiter, M. Friedemann, P. Belsky, O. Bakaeva, T. Letz, T. Gessner,