کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543292 | 871649 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Purely analytical extraction of an improved nonlinear FinFET model including non-quasi-static effects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An analytical procedure is proposed for extracting a new nonlinear FinFET model, which accounts for non-quasi static effects. The accuracy and the robustness of the obtained nonlinear model are completely validated through the comparison between simulated and measured device behaviour in both linear and nonlinear cases. This study clearly shows that the inclusion of the non-quasi-static phenomena leads to significant model simulation improvements, which become more pronounced at higher frequency.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issue 11, November 2009, Pages 2283–2289
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issue 11, November 2009, Pages 2283–2289
نویسندگان
Giovanni Crupi, Dominique M.M.-P. Schreurs, Alina Caddemi, Iltcho Angelov, Majid Homayouni, Antonio Raffo, Giorgio Vannini, Bertrand Parvais,