کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543395 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy passivation studies of Ge and III–V semiconductors for advanced CMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Future CMOS technologies will require the use of substrate material with a very high mobility in order to fulfil the performance requirements. Therefore, combination of Ge p-MOS with n-MOS devices made out of high mobility III/V compounds, such as GaAs, has recently received some attention for its possible use in advanced CMOS applications. In this work, the physical, chemical and electrical properties of Al2O3 high-κ oxide deposited on Ge and GaAs, using Molecular Beam Deposition (MBD) technique, have been investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1592–1595
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1592–1595
نویسندگان
C. Merckling, J. Penaud, D. Kohen, F. Bellenger, A. Alian, G. Brammertz, M. El-Kazzi, M. Houssa, J. Dekoster, M. Caymax, M. Meuris, M.M. Heyns,