کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543450 | 1450394 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding the potential and limitations of HfAlO as interpoly dielectric in floating-gate Flash memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Introduction of high-k dielectrics in Flash memory is seen as a must for the upcoming technology nodes. Hafnium aluminate (HfAlO) has been identified as a possible candidate for implementing the interpoly dielectric in floating gate memory. In this work, we establish a link between the material morphology and its electrical response, allowing to understand memory device behavior and to consequently assess the potential and limitations of HfAlO as IPD in a memory cell.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1807–1811
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1807–1811
نویسندگان
B. Govoreanu, R. Degraeve, M.B. Zahid, L. Nyns, M. Cho, B. Kaczer, M. Jurczak, J.A. Kittl, J. Van Houdt,