کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543454 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cycling degradation in TANOS stack
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The aim of this work is to investigate the physical mechanisms behind TANOS (TaN/Alumina/Nitride/Oxide/Silicon) cycling degradation. A comparison of the degradation induced in the TANOS stack by unipolar or bipolar stress has allowed the separation the different degradation contributions. A comparison with standard floating gate (FG) stack has also been carried out to confirm these degradation mechanisms. Finally, different stack configurations are reported, showing the key factors affecting the degradation and giving trends for improving cycling degradation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1822–1825
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1822–1825
نویسندگان
G. Ghidini, C. Scozzari, N. Galbiati, A. Modelli, E. Camerlenghi, M. Alessandri, A. Del Vitto, G. Albini, A. Grossi, T. Ghilardi, P. Tessariol,