کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543555 | 871668 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DNA-based organic-on-inorganic devices: Barrier enhancement and temperature issues
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrical measurements have been reported sandwich device fabricated from DNA molecular film located between Al and p-type InP inorganic semiconductor. We have observed that DNA-based this structure shows an excellent rectifying behavior, and that the DNA film increases the effective barrier height by influencing the space charge region of InP. We have also evaluated electrical characteristics of the DNA-based device in a wide temperature range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 11, November 2008, Pages 2250–2255
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 11, November 2008, Pages 2250–2255
نویسندگان
Ö. Güllü, M. Çankaya, Ö. Barış, A. Türüt,