کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544076 | 871704 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of ultrathin vanadium nitride as diffusion barrier for copper interconnect
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ultrathin Vanadium nitride (VN) thin film with thickness around 10 nm was studied as diffusion barrier between copper and SiO2 or Si substrate. The VN film was prepared by reactive ion beam sputtering. X-ray diffraction, Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and current–voltage (I–V) technique were applied to characterize the diffusion barrier properties for VN in Cu/VN/Si and Cu/VN/SiO2 structures. The as-deposited VN film was amorphous and could be thermal stable up to 800 °C annealing. Multiple results show that the ultrathin VN film has good diffusion barrier properties for copper.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 2, February 2006, Pages 236–240
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 2, February 2006, Pages 236–240
نویسندگان
Xin-Ping Qu, Mi Zhou, Tao Chen, Qi Xie, Guo-Ping Ru, Bing-Zong Li,