کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544087 | 871704 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extraction of the floating-gate capacitive couplings for drain turn-on estimation in discrete-trap memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we present an experimental procedure to extract the relative capacitive coupling of drain and gate with the floating-gate in a non-volatile memory cell. The method is used to quantitatively assess the increased drain turn-on immunity of discrete-trap memories in comparison with standard Flash. Results show that a large reduction in the relative drain to floating-gate capacitive coupling is obtained by discrete-trap storage, thanks to the low lateral coupling of the storage nodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 2, February 2006, Pages 319–322
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 2, February 2006, Pages 319–322
نویسندگان
Christian Monzio Compagnoni, Daniele Ielmini, Alessandro S. Spinelli, Andrea L. Lacaita,