کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544470 | 1450392 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of GAZO/Ag/GAZO multilayer films prepared by FTS system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GAZO (Ga–Al doped ZnO)/Ag/GAZO multilayer films were prepared by Facing Target Sputtering (FTS) methods at room temperature. The GAZO multilayer films consisted of various thickness Ag and top GAZO thin film. The electrical, optical and structural properties of the films were investigated using a four-point probe, an UV/vis spectrometer, a X-ray diffractometer (XRD), a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and atomic force microscopy (AFM). For the multilayer film with top and bottom GAZO thickness of 50 nm and intermediate Ag thickness of 12 nm, it exhibits the maximum figure of merit of 73.05 × 10−3 Ω−1 with sheet resistance of 9.1 Ω/sq and transmittance of 96.4% at wavelength of 550 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 89, January 2012, Pages 124–128
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 89, January 2012, Pages 124–128
نویسندگان
Yu Sup Jung, Woo-Jae Kim, Hyung-Wook Choi, Kyung Hwan Kim,