کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544562 | 871770 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evaluating k-values for low-k materials after damascene integration: Method and results
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Evaluating k-values for low-k materials after damascene integration: Method and results Evaluating k-values for low-k materials after damascene integration: Method and results](/preview/png/544562.png)
چکیده انگلیسی
This work discusses a method for measuring k-values of low-k films after integration in damascene structures. The experimental results are obtained from 90 nm ½ pitch single damascene structures on low-k materials with intrinsic k-values ranging between 2.2 and 3. The measurement technique is discussed in detail with a focus on the accuracy, limitation of the method, impact of low-k damage and applicability for smaller dimensions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 651–655
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 651–655
نویسندگان
B. Vereecke, M. Pantouvaki, I. Ciofi, G.P. Beyer, Zs. Tökei,