کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544635 | 871776 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Systematic study of shallow junction formation on germanium substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Published results on Ge junctions are benchmarked systematically using RS–XJ plots. The electrical activation level required to meet the ITRS targets is calculated. Additionally, new results are presented on shallow furnace-annealed B junctions and shallow laser-annealed As junctions. Co-implanting B junctions with F is shown to degrade junction properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 4, April 2011, Pages 347–350
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 4, April 2011, Pages 347–350
نویسندگان
Geert Hellings, Erik Rosseel, Trudo Clarysse, Dirch Hjorth Petersen, Ole Hansen, Peter Folmer Nielsen, Eddy Simoen, Geert Eneman, Brice De Jaeger, Thomas Hoffmann, Kristin De Meyer, Wilfried Vandervorst,