کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544648 | 871776 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
H2S molecular beam passivation of Ge(0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A fundamental issue regarding the introduction of high-mobility Ge channels in CMOS circuits is the electrical passivation of the interface with the high-k gate dielectric. In this paper, we investigate the passivation of p-Ge(0 0 1) using molecular H2S. The modification of the semiconductor surface is monitored in situ by RHEED and the interface is characterized by XPS analyses. MOS capacitors are fabricated to extract interface state density, and finally we demonstrate the efficiency of the passivation scheme using a combination with an ultra thin Al interlayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 4, April 2011, Pages 399–402
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 4, April 2011, Pages 399–402
نویسندگان
C. Merckling, Y.C. Chang, C.Y. Lu, J. Penaud, M. El-Kazzi, F. Bellenger, G. Brammertz, M. Hong, J. Kwo, M. Meuris, J. Dekoster, M.M. Heyns, M. Caymax,