کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544890 | 871794 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Si capping layer on the interface quality and NBTI of high mobility channel Ge-on-Si pMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of a Si capping layer on the device characteristics and negative bias temperature instability (NBTI) reliability were investigated for Ge-on-Si pMOSFETs. A Ge pMOSFET with a Si cap shows a lower subthreshold slope (SS), higher transconductance (Gm) and enhanced drive current. In addition, lower threshold voltage shift and Gm,max degradation are observed during NBTI stress. The primary reason for these characteristics is attributed to the improved interface quality at the high-k dielectric/substrate interface. Charge pumping was used to verify the presence of lower density of states in Ge pMOSFETs with a Si cap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issue 3, March 2009, Pages 259–262
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issue 3, March 2009, Pages 259–262
نویسندگان
Ook Sang Yoo, Jungwoo Oh, Kyung Seok Min, Chang Yong Kang, B.H. Lee, Kyong Taek Lee, Min Ki Na, Hyuk-Min Kwon, P. Majhi, H-H Tseng, Raj Jammy, J.S. Wang, Hi-Deok Lee,