کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5449987 | 1512856 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Localized defects related to the 14N+ ion irradiation-induced magnetism in SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The role of localized defects as they pertain to ferromagnetism in SiC, which contains only s and p electrons, is important but unclear. Here, room temperature, macroscopic magnetization is induced and can be tuned in 6H-SiC using 14N+ ion implantation. First-principles density functional theory computation results confirm that 14N+ ion implantation can enhance the ferromagnetic ordering of the local magnetic moments caused by vacancy and substitution defects. The calculated magnetization values in the energetically favored ferromagnetic ordering (1.47-2.93Â emu/g for several vacancy and substitution defects) are larger than our experimental values (0.25Â emu/g at 5Â K and 0.08Â emu/g at 300Â K), but the result is qualitatively in agreement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 93, September 2017, Pages 6-11
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 93, September 2017, Pages 6-11
نویسندگان
Xiujie He, Jie Tan,