کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5450027 | 1512856 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High degree of current rectification at nanoscale level
ترجمه فارسی عنوان
درجه بالایی از اصلاح جاری در سطح نانو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
یک نوترون نانوساختار، نسبت اصلاح بالا، سیم کوانتومی مختلط، میدان الکتریکی خارجی، اتصال نامتقارن اتصال
ترجمه چکیده
ما یک تصحیح غیرمنتظره بزرگ با استفاده از یک سیم کوانتومی ساده با پتانسیل سایت همبسته می گیریم. میدان الکتریکی خارجی، همراه با تعصب ولتاژ، منجر به جریان نامنظم بار برای دو قطب مختلف اختلاف خارجی می شود و این اثر با افزودن عدم تقارن در سیم کشی به الکترود افزایش می یابد. محاسبات ما نشان می دهد که در برخی موارد تقریبا صد درصد اصلاح برای یک پنجره ی گسترده ای به دست می آید. این عملکرد در مورد تنظیمات اختلال معتبر است و بنابراین ما می توانیم یک بررسی تجربی از تجزیه و تحلیل نظری خود را در آینده نزدیک انتظار.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We address an unexpectedly large rectification using a simple quantum wire with correlated site potentials. The external electric field, associated with voltage bias, leads to unequal charge currents for two different polarities of external bias and this effect is further enhanced by incorporating the asymmetry in wire-to-electrode coupling. Our calculations suggest that in some cases almost cent percent rectification is obtained for a wide bias window. This performance is valid against disorder configurations and thus we can expect an experimental verification of our theoretical analysis in near future.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 93, September 2017, Pages 275-278
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 93, September 2017, Pages 275-278
نویسندگان
Madhumita Saha, Santanu K. Maiti,