کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5450028 | 1512856 | 2017 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impurity characteristics of group V and VII element-doped two-dimensional ZrSe2 monolayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Through first-principles calculations, we investigate the electronic structures, formation energy and transition level of the selected group V and VII impurities in the two-dimensional ZrSe2 monolayer. Our results indicate that group V and VII atoms substituting Se atom can be easier under Zr-rich experiment conditions. Moreover, group V element substituting doping can induce p-type carrier due to their negative formation energy and shallow transition level, while group VII doping can not be effective to induce the n-type impurities. In particular, N substituting Se exhibits the lowest formation energy and shallowest transition level, which indicates that N impurities can offer effective p-type carriers in the ZrSe2 monolayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 93, September 2017, Pages 279-283
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 93, September 2017, Pages 279-283
نویسندگان
Xu Wang, Juan Du, Shuyi Wei,