کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489057 | 1524351 | 2017 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preventing phase separation in MOCVD-grown InAlAs compositionally graded buffer on silicon substrate using InGaAs interlayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Compositionally graded InAlAs buffers grown by metal-organic chemical vapor deposition are impaired by phase separation occurring at In content higher than 35%. Phase separation results in rough epilayers with poor crystalline material quality. By introducing low temperature grown InGaAs interlayers in the compositionally graded InAlAs buffer, the surface roughness decreases, allowing a grading of up to In0.60Al0.40As without any phase separation occurring. This composite buffer is applied to fabricate a 200Â mm diameter InP-on-Si virtual substrate with a threading dislocation density around 1Â ÃÂ 108Â cmâ2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 478, 15 November 2017, Pages 64-70
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 478, 15 November 2017, Pages 64-70
نویسندگان
David Kohen, Xuan Sang Nguyen, Riko I. Made, Christopher Heidelberger, Kwang Hong Lee, Kenneth Eng Kian Lee, Eugene A. Fitzgerald,