کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5489240 1524355 2017 21 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Validation, verification, and benchmarking of crystal growth simulations
ترجمه فارسی عنوان
اعتبار سنجی، تأیید و معیارهای شبیه سازی رشد کریستال
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The variety of physical phenomena in crystal growth processes requires diverse software tools for the numerical simulations. Both, dedicated 2D or 3D ready-to-use software for coupled simulations of a crystallization furnace and general-purpose 3D simulation packages have been used in the literature. This work proposes a general strategy for model development: validation of the physical model using model experiments; verification of the numerical model using analytical or high-accuracy solutions; testing of the computational efficiency using complex benchmark cases. The application of these steps is demonstrated for various models in directional solidification of silicon showing the capabilities of various open source or commercial software packages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 474, 15 September 2017, Pages 171-177
نویسندگان
, , , ,