کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489376 | 1524366 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and interface engineering in thin-film Ba0.6Sr0.4TiO3/SrMoO3 heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxial heterostructures of ferroelectric Ba0.6Sr0.4TiO3 and highly conducting SrMoO3 were grown by pulsed laser deposition on SrTiO3 (0 0 1) substrates. Surface oxidation of the SrMoO3 film is suppressed using a thin cap interlayer of Ba0.6Sr0.4TiO3-δ grown in reduced atmosphere. As shown by X-ray photoelectron spectroscopy, the Mo4+ valence state of the SrMoO3 films is stable upon annealing of the sample in oxygen up to 600 °C. The described oxygen interface engineering enables utilization of the highly conducting material SrMoO3 in multilayer oxide ferroelectric varactors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 134-138
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 134-138
نویسندگان
Aldin Radetinac, Jürgen Ziegler, Mehran Vafaee, Lambert Alff, Philipp Komissinskiy,