کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6533889 | 1420637 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phosphorus diffused LPCVD polysilicon passivated contacts with in-situ low pressure oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Phosphorus diffused LPCVD polysilicon passivated contacts with in-situ low pressure oxidation Phosphorus diffused LPCVD polysilicon passivated contacts with in-situ low pressure oxidation](/preview/png/6533889.png)
چکیده انگلیسی
Key to this technology is the deposition of an ultra-thin silicon dioxide interlayer under high temperature and low pressure condition, performed in-situ within a single process with the polysilicon deposition. Additionally, the passivating contact structure maintains its electronic properties at temperatures of up to 900â¯Â°C and is compatible with existing industrial processes. The presented work therefore represents a significant advancement in industrially-applicable passivated contact technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 186, November 2018, Pages 236-242
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 186, November 2018, Pages 236-242
نویسندگان
Kean Chern Fong, Teng Choon Kho, WenSheng Liang, Teck Kong Chong, Marco Ernst, Daniel Walter, Matthew Stocks, Evan Franklin, Keith McIntosh, Andrew Blakers,