کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6534786 | 49289 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new method of preparing highly conductive ultra-thin indium tin oxide for plasmonic-enhanced thin film solar photovoltaic devices
ترجمه فارسی عنوان
یک روش جدید برای تهیه اکسید قلع فوق العاده نازک بسیار رسانا برای دستگاه های فتوولتائیک خورشیدی نازک پلاسمونیک
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اکسید هدایت شفاف، اکسید قلع ایندیوم، پلاسمونیک، فتوولتائیک، سیلیکون آمورف، افزایش نوری،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
چکیده انگلیسی
- Plasmonic metallic nanostructures potential in a-Si:H PV light management.
- Work to date shows a marked decrease in conductivity as thickness decreases.
- Here ultra-thin (<40Â nm) high quality TCOs fabricated, tested simulated.
- 80Â nm ITO films are sputtered, annealed, controlled cyclic wet chemical etch.
- 36Â nm thin films with optical enhancement greater than 21% (300-730Â nm).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 149, May 2016, Pages 250-257
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 149, May 2016, Pages 250-257
نویسندگان
Jephias Gwamuri, Ankit Vora, Jeyanthinath Mayandi, Durdu Ã. Güney, Paul L. Bergstrom, Joshua M. Pearce,