کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942351 | 1450285 | 2018 | 24 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lateral growth of NiSi at the θ-Ni2Si/Si(100) interface: Experiments and modelling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 199, 5 November 2018, Pages 45-51
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 199, 5 November 2018, Pages 45-51
نویسندگان
D. Mangelinck, M. El Kousseifi, K. Hoummada, F. Panciera, T. Epicier,