کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942362 | 1450285 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding the influence of in-plane gate electrode design on electrolyte gated transistor
ترجمه فارسی عنوان
درک تاثیر طراحی الکترود در هواپیما در ترانزیستور الکترولیتی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانولوله کربنی، ترانزیستور اثر میدان الکتریکی دروازه، الکترود دروازه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 199, 5 November 2018, Pages 87-91
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 199, 5 November 2018, Pages 87-91
نویسندگان
Saumya Joshi, Vijay Deep Bhatt, Himanshi Rani, Markus Becherer, Paolo Lugli,