کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942494 | 1450290 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Source engineered tunnel FET for enhanced device electrostatics with trap charges reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 194, 5 July 2018, Pages 79-84
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 194, 5 July 2018, Pages 79-84
نویسندگان
Bhagwan Ram Raad, Dheeraj Sharma, Sukeshni Tirkey,