کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942494 1450290 2018 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Source engineered tunnel FET for enhanced device electrostatics with trap charges reliability
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Source engineered tunnel FET for enhanced device electrostatics with trap charges reliability
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 194, 5 July 2018, Pages 79-84
نویسندگان
, , ,