کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942502 1450291 2018 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of varying gate distance on the threshold voltage shift in carbon nanotube field effect transistor gas sensors
ترجمه فارسی عنوان
اثر فاصله جابجایی مختلف در تغییر ولتاژ آستانه در سنسورهای گاز ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن
کلمات کلیدی
نانولوله های کربنی، سنسورهای گاز، ساخت، اتصال دروازه، تغییر ولتاژ آستانه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
اثر فاصله جابجایی مختلف در تغییر ولتاژ آستانه در سنسورهای گاز ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 193, 5 June 2018, Pages 86-90
نویسندگان
, , ,