کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942733 | 1450318 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of Ta-oxide interlayer on the Schottky barrier parameters of Ni/n-type Ge Schottky barrier diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 163, 1 September 2016, Pages 26-31
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 163, 1 September 2016, Pages 26-31
نویسندگان
Hoon-Ki Lee, I. Jyothi, V. Janardhanam, Kyu-Hwan Shim, Hyung-Joong Yun, Sung-Nam Lee, Hyobong Hong, Jae-Chan Jeong, Chel-Jong Choi,