کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942783 | 1450326 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization for the photomask fabrication based on a high-resolution technique with a non-chemically amplified resist and a post-exposure bake
ترجمه فارسی عنوان
مشخصه برای تولید فتوشاپ بر اساس تکنیک با وضوح بالا با یک مقاومت غیر شیمیایی تقویت شده و یک بیکر پس از قرار گرفتن در معرض
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
لیتوگرافی پرتو الکترونی، مخالفان لیتوگرافی با وضوح بالا، انلینگ،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 7-13
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 7-13
نویسندگان
Hidetatsu Miyoshi, Jun Taniguchi,