| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 6942805 | 1450326 | 2016 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Towards a novel positive tone resist mr-PosEBR for high resolution electron-beam lithography
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 67-73
											Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 67-73
نویسندگان
												Stefan Pfirrmann, Anja Voigt, Anett Kolander, Gabi Grützner, Olga Lohse, Irina Harder, Vitaliy A. Guzenko,