کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942805 | 1450326 | 2016 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Towards a novel positive tone resist mr-PosEBR for high resolution electron-beam lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Towards a novel positive tone resist mr-PosEBR for high resolution electron-beam lithography Towards a novel positive tone resist mr-PosEBR for high resolution electron-beam lithography](/preview/png/6942805.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 67-73
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 67-73
نویسندگان
Stefan Pfirrmann, Anja Voigt, Anett Kolander, Gabi Grützner, Olga Lohse, Irina Harder, Vitaliy A. Guzenko,