کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943015 | 1450334 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Causes and consequences of the stochastic aspect of filamentary RRAM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 171-175
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 171-175
نویسندگان
R. Degraeve, A. Fantini, N. Raghavan, L. Goux, S. Clima, B. Govoreanu, A. Belmonte, D. Linten, M. Jurczak,