کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943047 | 1450334 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding the EOT-Jg degradation in Ru/SrTiOx/Ru metal-insulator-metal capacitors formed with Ru atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Understanding the EOT-Jg degradation in Ru/SrTiOx/Ru metal-insulator-metal capacitors formed with Ru atomic layer deposition Understanding the EOT-Jg degradation in Ru/SrTiOx/Ru metal-insulator-metal capacitors formed with Ru atomic layer deposition](/preview/png/6943047.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 108-112
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 108-112
نویسندگان
M. Popovici, A. Redolfi, M. Aoulaiche, J.A. van den Berg, B. Douhard, J. Swerts, P. Bailey, B. Kaczer, B. Groven, J. Meersschaut, T. Conard, A. Moussa, C. Adelmann, A. Delabie, P. Fazan, S. Van Elshocht, M. Jurczak,