کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943120 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching in CeO2/La0.8Sr0.2MnO3 bilayer for non-volatile memory applications
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Resistive switching in CeO2/La0.8Sr0.2MnO3 bilayer for non-volatile memory applications
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 37-40
نویسندگان
, , , , , , , ,