کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943130 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Al doping on the retention behavior of HfO2 resistive switching memories
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effect of Al doping on the retention behavior of HfO2 resistive switching memories
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 104-107
نویسندگان
, , , ,