کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943145 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of buffer leakage current on breakdown characteristics in AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effects of buffer leakage current on breakdown characteristics in AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 96-99
نویسندگان
, , ,