کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943160 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Paramagnetic oxide traps in Sc2O3-passivated (1Â 0Â 0)Ge/HfO2 stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Paramagnetic oxide traps in Sc2O3-passivated (1Â 0Â 0)Ge/HfO2 stacks Paramagnetic oxide traps in Sc2O3-passivated (1Â 0Â 0)Ge/HfO2 stacks](/preview/png/6943160.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 180-183
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 180-183
نویسندگان
A. Stesmans, S. Iacovo, D. Cott, A. Thean, H. Arimura, S. Sioncke, V.V. Afanas'ev,