کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943186 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study of capacitance-voltage hysteresis in the HfO2/InGaAs metal-oxide-semiconductor system
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A study of capacitance-voltage hysteresis in the HfO2/InGaAs metal-oxide-semiconductor system
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 273-276
نویسندگان
, , , , , , ,