کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943195 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel technique exploiting C-V, G-V and I-V simulations to investigate defect distribution and native oxide in high-κ dielectrics for III-V MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A novel technique exploiting C-V, G-V and I-V simulations to investigate defect distribution and native oxide in high-κ dielectrics for III-V MOSFETs A novel technique exploiting C-V, G-V and I-V simulations to investigate defect distribution and native oxide in high-κ dielectrics for III-V MOSFETs](/preview/png/6943195.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 281-284
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 281-284
نویسندگان
G. Sereni, L. Larcher, L. Vandelli, D. Veksler, T. Kim, D. Koh, G. Bersuker,