کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943214 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Confinement-free annealing induced ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 thin films
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Confinement-free annealing induced ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 thin films
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 15-18
نویسندگان
, , , , , ,