| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6943236 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Germanium-related deep electron traps in ALD-grown HfO2 insulators studied through Exhaustive PhotoDepopulation Spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 188-191
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 188-191
نویسندگان
O. Madia, V.V. Afanas'ev, J.A. Kittl, Woong Ki Hong, Sang-Su Kim, HuYong Lee, Sunjung Kim, M.S. Rodder, A. Stesmans,